GB02SLT12-252
GeneSiC Semiconductor
Deutsch
Artikelnummer: | GB02SLT12-252 |
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Hersteller / Marke: | GeneSiC Semiconductor |
Teil der Beschreibung.: | DIODE SIL CARBIDE 1.2KV 5A TO252 |
Datenblätte: |
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RoHs Status: | RoHS-konform |
ECAD -Modell: | |
Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
Versandweg: | DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS |
Aktie: |
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Produkteigenschaften | Eigenschaften |
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Spannung - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.8 V @ 2 A |
Spannung - Sperr (Vr) (max) | 1200 V |
Technologie | SiC (Silicon Carbide) Schottky |
Supplier Device-Gehäuse | TO-252 |
Geschwindigkeit | No Recovery Time > 500mA (Io) |
Serie | SiC Schottky MPS™ |
Rückwärts-Erholzeit (Trr) | 0 ns |
Verpackung / Gehäuse | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
Produkteigenschaften | Eigenschaften |
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Paket | Tape & Reel (TR) |
Betriebstemperatur - Anschluss | -55°C ~ 175°C |
Befestigungsart | Surface Mount |
Strom - Sperrleckstrom @ Vr | 50 µA @ 1200 V |
Strom - Richt (Io) | 5A |
Kapazität @ Vr, F | 131pF @ 1V, 1MHz |
Grundproduktnummer | GB02SLT12 |
GB02SLT12-252 Einzelheiten PDF [English] | GB02SLT12-252 PDF - EN.pdf |
DIODE SIL CARBIDE 600V 4A TO46
CAP CER
DIODE SIL CARB 1.2KV 2A TO220-2
CAP CER
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CAP CER
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DIODE SIL CARB 1.2KV 2A DO214AA
CRYSTAL METAL CAN DIP49S T&R 1K
CRYSTAL METAL CAN DIP49S T&R 1K
DIODE SIL CARBIDE 300V 4A TO46
RELAY GEN PURPOSE 4PDT 6A 24V
CRYSTAL METAL CAN DIP49S T&R 1K
2024/06/6
2024/04/18
2024/04/13
2023/12/20
![]() GB02SLT12-252GeneSiC Semiconductor |
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Zielpreis (USD)
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